Sistema para crecimiento de monocristales  semiconductores mediante velocidad de crecimiento variable

La presente invención describe un aparato para la puesta en práctica de un procedimiento de cristalización de monocristales de CZT que comprende los siguientes elementos: cinco elementos calefactores que consisten en cinco hornos independientes entre sí, y dispuestos en vertical; cinco termopares de medida situados cada uno en el centro geométrico de cada uno de los cinco hornos; dos discos metálicos de aluminio; una ampolla de crecimiento donde se coloca el material de partida a cristalizar; y un soporte formado por un tubo de cuarzo exterior en cuyo interior se encuentra centrado un tubo interior de cuarzo