Procedimiento de obtención de nanohilos de silicio, en ausencia de fuente gaseosa de silicio, sobre diferentes sustratos

La presente invención proporciona un procedimiento de obtención de nanohilos de silicio, con diámetro y longitud homogéneos y controlados, sobre diversos sustratos, entre los cuales se incluyen aquellos sustratos diferentes al silicio. Se trata de un proceso térmico que utiliza como catalizador un metal puro depositado en forma de lámina delgada, y donde se adecúa la superficie del sustrato mediante el uso de esferas de materiales resistentes a altas temperaturas o de películas porosas. En el caso de que el sustrato sea distinto al silicio, un soporte de silicio colocado sobre el depósito de metal puro actúa como fuente de silicio durante el tratamiento térmico permitiendo el crecimiento de los nanohilos de silicio. Además, la presente invención se refiere a los nanohilos obtenidos por el procedimiento anteriormente mencionado y a sus usos.